深勢阱使量子級聯(lián)激光器的效率提高近兩倍

深勢阱使量子級聯(lián)激光器的效率提高近兩倍

傳統(tǒng)的量子阱激光器（QCL）的內(nèi)核包含半導體量子阱和固定化合物勢壘，這種結構會導致4.5～5.5um的中紅外QCL器件的載流子泄露，因而使斜坡效率出現(xiàn)快速下降；在器件內(nèi)核中的30～40個增益區(qū)間中，由于激光上能級和勢壘頂部較小的能量差（大約為200meV），從而使閾值電流密度隨溫度快速上升。雖然具有異質(zhì)結結構的器件在室溫下可以達到12%的電光轉(zhuǎn)換效率（WPE），然而這些器件對溫度極其敏感，這就很難達到理論上的28%的WPE。折射計 | 粒子計數(shù)器 | 電容表 | 有紙記錄儀 | 溫濕度儀 | 電力測量儀 | 變送器 | 轉(zhuǎn)換器 | 諧波分析儀 | 彎嘴鉗 | 多用表 | PH計 | 水分測定儀 | 露點儀

　　 與傳統(tǒng)的量子級聯(lián)激光器相比（下圖），新型設計的深阱QCL的量子阱中的激光上能級和增益區(qū)勢壘頂部較小的能量差大約提高了兩倍，這可以有效抑制載流子泄露并提高效率。

　　盡管有許多新的勢壘和量子阱設計試圖抑制載流子泄露都沒有成功，但是來自威斯康星大學（UWM）和美國海軍研究實驗室（NRL）的研究小組，成功地找到了一種有效的方法。通過使用能量較深的勢阱，以及精細設計的馳豫和注入?yún)^(qū)，激光器中增益區(qū)載流子泄露被充分抑制，因此斜坡效率和閾值電流隨溫度的變化率只有傳統(tǒng)QCL的一半，因而明顯地增加了連續(xù)光（CW）運轉(zhuǎn)激光的效率，并最終可以獲得長期可靠運行的瓦量級連續(xù)光QCL。

　　加深勢阱

　　這個新器件中的深量子阱需要應力補償，增益區(qū)的鋁成分從64%增加到75%，用于提高勢壘。因此，激光上能級和勢壘頂部的能量差提高到了450meV，這是傳統(tǒng)QCL的兩倍。與傳統(tǒng)QCL相比，新器件在增益區(qū)之后的馳豫區(qū)具有一個錐形的導帶邊緣。這使馳豫區(qū)的波函數(shù)遠離增益區(qū)，減小與增益區(qū)的重疊，從而進一步抑制載流子泄露。最終，該研究小組還發(fā)現(xiàn)，注入?yún)^(qū)的錐形導帶邊緣也可以減少載流子泄露。

　　 正如研究人員期望的那樣，深勢阱器件的閾值電流密度的溫度特性可以增加到270K，相比之下，工作在20～90℃的傳統(tǒng)的QCL只能達到140K，而且斜坡效率的溫度特性也從140K增加到了285K。除了UWM-NRL研究小組外，參與合作研究的麻省理工學院的科學家還建立了一個理論模型，該模型能夠很好地預測傳統(tǒng)QCL和深勢阱QCL的溫度特性。根據(jù)預測，由于抑制了載流子泄露，連續(xù)光運轉(zhuǎn)的4.8um深勢阱器件的WPE可以超過20%。

　　 除了提高QCL的WPE外，抑制載流子意味著可以顯著改善高功率運轉(zhuǎn)的長期穩(wěn)定性。威斯康星大學的Dan Botez教授說：“利用這種深勢阱對載流子的抑制可以獲得真正可靠的瓦量級連續(xù)光QCL。而且，這些新的器件可以幫助實現(xiàn)中紅外量子點結構激光器，使其具有室溫工作連續(xù)光運轉(zhuǎn)的WPE達到50%。”這樣的量子點結構激光器可用于中紅外非冷卻手持式傳感器中。