紫外可見分光光度法的基礎(chǔ)知識(shí)

　　在紫外和可見光區(qū)范圍內(nèi)，有機(jī)化合物的吸收光譜主要有σ-σ*、π-π*、n-σ*、n-π*及電荷遷移躍遷產(chǎn)生，無(wú)機(jī)化合物的吸收光譜主要由電荷遷移躍遷和配位場(chǎng)躍遷產(chǎn)生。

　　處于σ成鍵軌道上的電子吸收光能后躍遷到σ*反鍵軌道。分子中σ鍵較為牢固，故躍遷需要較大的能量。吸收峰在遠(yuǎn)紫外區(qū)。飽和烴類吸收峰波長(zhǎng)一般都小于150nm，在200~400nm范圍沒有吸收。

　　處于π成鍵軌道上的電子躍遷到π*反鍵軌道上，所需的能量小于σ-σ*躍遷所需的能量，孤立的π-π*躍遷一般發(fā)生在波長(zhǎng)200nm左右，其特征是吸光系數(shù)ε很大，一般 ε>10⁴ ，為強(qiáng)吸收。共軛鍵愈長(zhǎng)躍遷所需能量愈小。

　　含-OH,-NH₂,-X,-S等基團(tuán)化合物，其雜原子中孤對(duì)電子吸收能量后向σ*反鍵軌道躍遷，這種躍遷可以吸收波長(zhǎng)在200nm左右。

　　含有雜原子不飽和基團(tuán)，如C=O、C=S、-N=N-等化合物，其非鍵軌道中孤對(duì)電子吸收能量后，向π*反鍵軌道躍遷，這種躍遷吸收峰一般在近紫外區(qū)（200~400nm）。吸收強(qiáng)度弱，ε小，約在10~100之間。

　　指用電磁輻射照射化合物時(shí)，電子從給予體向接受體相聯(lián)系的軌道上的躍遷。因此電荷遷移實(shí)質(zhì)是一個(gè)內(nèi)氧化還原過(guò)程，而相應(yīng)的吸收光譜稱為電荷遷移吸收光譜。某些有機(jī)化合物如取代芳烴可產(chǎn)生這種分子內(nèi)電荷的遷移吸收。許多無(wú)機(jī)物配合物也有電荷遷移吸收光譜，不少過(guò)渡金屬離子與含生色團(tuán)的試劑反應(yīng)所生成的配合物以及許多水合無(wú)機(jī)離子均可產(chǎn)生電荷遷移躍遷。電荷遷移躍遷吸收光譜最大的特點(diǎn)是摩爾吸光系數(shù)較大，一般ε_max>10⁴,用于定量分析，可以提高檢測(cè)的靈敏度。

　　在配體存在下過(guò)渡元素5個(gè)能量相等的d軌道和鑭、錒元素7個(gè)能量相等的f軌道分別裂分成幾組能量不等的d軌道及f軌道，當(dāng)它們吸收光后，低能態(tài)的電子或f電子可以分別躍遷到高能態(tài)的d或f軌道上去，由于這類躍遷必須在配體的配位場(chǎng)作用下才有可能產(chǎn)生，因此稱為配位場(chǎng)躍遷。與電荷遷移躍遷比較，由于選擇規(guī)則的限制，配位場(chǎng)躍遷吸收的摩爾吸光系數(shù)較小，一般ε_max<10²,位于可見光區(qū)。 探傷儀| 電子稱| 熱像儀| 頻閃儀| 測(cè)高儀| 測(cè)距儀| 金屬探測(cè)器| 試驗(yàn)機(jī)| 扭力計(jì)| 流速儀| 粗糙度儀| 流量計(jì)|